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微导纳米688147估值分析和申购建议分享
发布时间:2024-02-09 14:53
浏览次数:124 次

  (一)公司以原子层沉积(ALD)技术为核心,主要从事先进微、纳米级薄膜沉 积设备的研发、生产和销售,向下游客户提供先进薄膜沉积设备、配套产品及 服务。自成立以来,公司通过不断吸纳国内外优秀人才和研发投入,先后设立江 苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士 后创新实践基地、江苏省研究生工作站等科研平台,在原子层沉积反应器设计 技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层 薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉 积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒,并在此基础上继 续深化 ALD 技术在下一代光伏电池、集成电路、先进存储等方面的技术储备, 为客户提供更丰富的高端薄膜沉积产品。报告期内,公司产品率先用于光伏电池片生产过程中的薄膜沉积环节,已 覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多 家知名太阳能电池片生产商。2018 年,公司的光伏领域夸父(KF)原子层沉积 设备被评定为“江苏省首台(套)重大装备产品”。目前,公司应用于 TOPCon 新型高效电池生产线的产品已在客户现场验证。在成功将 ALD 技术应用于光伏领域后,公司开发了对技术水平和工艺要求 更高的半导体薄膜沉积设备,已先后获得国内多家知名半导体公司的商业订 单,并在报告期内实现了国产 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺(高介 电常数栅氧层材料沉积环节)中的突破。此外,公司已与多家国内半导体厂商 及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等合作,针对国内半导体薄膜 沉积各细分应用领域研发试制新型 ALD 设备。除了光伏和半导体领域外,公司 还拓展了柔性电子等其他领域的应用。

  (二)主要产品情况 1、公司主要技术情况 薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜,使之具有光学、电学等方 面的特殊性能。薄膜沉积设备的设计制造涉及化学、物理、工程等多门学科的 跨界综合运用,按工艺原理的不同可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉 积(CVD)和原子层沉积(ALD)设备,按设备形态的不同可分为批量式(管 式)和空间型(板式)两种技术路线。公司目前产品主要以批量式(管式) ALD 设备为主。ALD 技术是一种特殊的真空薄膜沉积方法,具有较高的技术壁垒。通过 ALD 镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面,每镀膜 一次/层为一个原子层,根据原子特性,镀膜 10 次/层约为 1nm。由于 ALD 技术 表面化学反应具有自限性,因此拥有多项独特的薄膜沉积特性:1、三维共形 性,广泛适用于不同形状的基底;2、大面积成膜的均匀性,且致密、无针孔;3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。基于上述特性,ALD 技术广泛适用于不 同场景下的薄膜沉积,在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化 及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。2、公司主要产品情况 公司已开发出适用于光伏、半导体等应用领域的多款薄膜沉积设备,涵盖 ALD、PEALD 二合一、PECVD 系列产品,并提供配套产品及服务,具体如 下:(1)专用设备 ①光伏领域主要设备:

  公司设备在光伏领域太阳能电池片生产中涉及的工艺类型、应用领域和产 业化阶段情况如下:

  除上述在半导体领域已实现产业化应用的功能外,公司 ALD 设备沉积的 HfO2、ZrO2、La2O3 以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储 (FeRAM)芯片的电容介质层,沉积的 Al2O3、TiN、AlN 可用于化合物半导 体、量子器件的超导材料导电层等,上述应用均已完成客户的试样测试并签署 订单。

  (2)配套产品及服务 公司配套产品及服务主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。①设备改造 公司的薄膜沉积设备采用模块化设计,在具体型号工艺设备开发完成后,可以适用下游大部分客户对于该型号设备工艺的主要功能需求。同时,公司同 类型设备在具体配置上具有一定灵活度,除了标准化模块之外的剩余部件,会 根据下游采购意向和需求进行非标准化定制,比如客户可选择单面或双面镀 膜、水工艺或臭氧工艺、不同大小硅片加工尺寸、设备现场布局和衔接方式 等,以满足客户的差异化需求。②备品备件及其他 公司设备在运行过程中,部分零部件会出现正常损耗,因此下游客户需向 公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具(一体舟)、去离子水等产 品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。

  报告期内,公司专用设备以 ALD 设备为主。2021 年、2022 年 1-6 月 ALD 设备销售规模和占比有所降低,主要原因是光伏电池行业在 2020-2021 年处于 由 PERC 向新型高效电池技术转变的过渡期,下游厂商扩产和采购节奏短期调 整,同时公司在此期间推出 PECVD 设备、PEALD 二合一平台设备等新产品导 致了当期订单结构有所变化。随着 TOPCon 等新型高效电池技术路线确定、成 熟度提高,截至本招股意向书签署日,作为公司专用设备中的核心产品,公司 ALD 设备新签订单数量已超过 2021 年全年镀膜设备订单数量总和,同比大幅 增长。

  (一)由于 ALD 技术的表面化学反应具有自限性,因此拥有优异的三维共形性、 大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,广泛适用于不同环境下的薄膜 沉积,在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸 多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积(PVD)设备、化 学气相沉积(CVD)设备和原子层沉积(ALD)设备。PVD 为物理过程,CVD 为化学过程,两种具有显著的区别。ALD 也是采 用化学反应方式进行沉积,但反应原理和工艺方式与 CVD 存在显著区别,在 CVD 工艺过程中,化学蒸气不断地通入真空室内,而在 ALD 工艺过程中,不 同的反应物(前驱体)是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的,使得在基底 表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于 ALD 技术,PVD 技术生长机理简单,沉积速率高,但一般只适用 于平面的膜层制备;CVD 技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好,但是工艺 过程中影响因素较多,成膜的均匀性较差,并且难以精确控制薄膜厚度。

  2010 年以来,全球太阳能光伏产业进入了高速发展期,太阳能光伏年装机 容量快速增长,上游相关行业也得到迅速发展。2011 年至 2021 年间,全球年 度光伏新增装机容量和累计装机容量大幅增长,其中,新增装机容量由 2011 年 的 32.2GW 增加至 2021 年的 170GW,增长超过 5 倍。IRENA 根据《巴黎协定》制定的目标进行测算,从现在起至 2050 年,与 能源有关的二氧化碳排放量需要每年减少 3.5%左右,并在此后持续减少。因 此,全球能源格局的深刻变革对于实现该协定的气候目标至关重要。随着清洁 能源的使用和迅速发展,太阳能和风能将引领全球电力行业的转型,取代传统 的化石燃料发电将成为可能。

  根据 IRENA 的预测,未来,风力发电将占总电力需求的三分之一以上,而 太阳能光伏发电将紧随其后,占总电力需求的 25%,这意味着在未来十年内, 太阳能光伏发电的全球总容量将从 2018 年的 480 GW,到 2030 年达到 2,840 GW,到 2050 年达到 8,519 GW。按年增长率计算,到 2030 年,太阳能光 伏发电的年新增容量较 2018 年水平需要增加近 3 倍,达到 270 GW/年,到 2050 年,需要增加 4 倍,达到 372 GW/年。到 2050 年,太阳能光伏将有助于减少 4.9Gt 的二氧化碳年排放量,占实现巴黎气候目标所需能源部门总减排量的 21%。我国太阳能光伏产业起步相对国外较晚,但受惠于全球光伏行业的高速发 展,凭借国家政策的大力支持与人力资源、成本优势,发展极为迅速。截至 2021 年底,我国光伏发电装机量达 307GW,同比增长 21%,连续 7 年位居全 球首位;2021 年新增光伏发电装机 54.88GW,同比增长 13.9%,连续 9 年位居 世界第一。2011 年至 2021 年,全球电池片产量持续增长,2021 年全球电池片总产量 为 223.9GW,同比增长 37%。2010 年至 2021 年,我国太阳能电池片产量逐年 上升,2021 年我国电池片产量为 197.9GW,较 2020 年同比增长约 46.8%。我 国电池片生产规模自 2007 年开始已连续 14 年居全球首位,全球电池片产业继 续向我国集中。从各类电池的市场占有率看,2018 年传统的 BSF 电池依然占领半数市场, 2019 年 PERC 电池技术迅速反超 BSF 电池,占据了超过 65%的市场份额,2020 年,PERC 电池片市场占比达到 86.4%,2021 年进一步提升至 91.2%。

  我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合,以提高设备产 能、自动化程度及转换效率为目标,同时适应大硅片生产,已具备了成套工艺 设备的供应能力,基本实现设备国产替代,并在国际竞争中处于优势地位。自 2010 年以来,中国一直是全球最大的光伏设备市场。2018 年,我国光伏设备产业规模达到了 220 亿元。2019 年达到了 250 亿 元,同比增长 13.6%。2020 年,光伏设备产业规模超过 280 亿元,在新冠疫情 等客观不利因素的影响下仍保持增长。2021 年,随着光伏企业产能扩张的计划 发布,相关设备厂商订单不断增加,我国光伏设备产业规模超过 400 亿元。在 光伏行业“降本增效”的发展趋势推动下,新产品、新技术层出不穷,相应量 产和扩产需求催生更多的生产设备需求,在国内巨大市场需求拉动下,光伏设 备厂商收入快速增长。光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节,根据电池不 同工艺和所需的薄膜性质,所采用的薄膜沉积设备会有所不同。2018 年-2021 年,我国新建成产线基本全部为 PERC 产线,针对目前已经大规模生产的 PERC 电池生产技术,生产设备基本实现国产化,其中薄膜沉积设备主要用于 PERC 电池的钝化和减反膜的制备。对于新型高效电池来说,目前产业化前景最为明确的 TOPCon 电池和 HJT 电池对于薄膜沉积的需求更高。TOPCon 电池生产线可以由 PERC 电池生产线升级改造实现,除原薄膜沉积需求外,还增加了隧穿层和掺杂多晶硅层镀膜需 求。HJT 电池整体结构变化较大,其制造环节只需 4 大类设备,分别是制绒清 洗设备(投资占比 10%)、非晶硅沉积设备(投资占比 50%)、透明导电薄膜 设备(投资占比 25%)和印刷设备(投资占比 15%),其中非晶硅沉积设备、 透明导电薄膜设备均需要用到薄膜沉积设备。由于 TOPCon 电池生产线可以由现有 PECR 电池生产线升级改造完成,而 且目前 TOPCon 电池生产线单位投资规模和运营成本明显低于 HJT 电池生产 线,因此 TOPCon 电池生产线在 N 型电池线建设中进展显著。根据上市公司披露的项目投资明细,TOPCon(含未披露具体技术类型的 N 型电池)产线每 GW 平均投资规模高于 PERC 产线。而公司研发、生产的设备 在 PERC 产线%,在 TOPCon(含 N 型电 池)产线建设中的投资比重上升至 33.00%-39.12%。

  根据 Maximize Market Research 数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规 模从 2017 年的 125 亿美元扩大至 2020 年的 172 亿美元,年复合增长率为 11.2%。预计至 2025 年市场规模可达 340 亿美元。半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄 断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半 导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽 然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较 低。

  从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看,根据 Gartner 统计,2019 年全 球半导体薄膜沉积设备中 PECVD、PVD、ALD 设备的市场规模占比分别为 33%、23%和 11%;2020 年全球半导体薄膜沉积设备中 PECVD、PVD、ALD 设备的市场规模占比分别为 34%、21%和 12.8%。在半导体制程进入 28nm 后,由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化,生 产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在 此背景下,ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜 厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将 持续提高。近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实 力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制 造仍然相对薄弱。《中国制造 2025》对于半导体设备国产化提出明确要求:在 2020 年之前,90-32nm 工艺设备国产化率达到 50%,实现 90nm 光刻机国产 化,封测关键设备国产化率达到 50%。在 2025 年之前,20-14nm 工艺设备国产 化率达到 30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国 家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资 1,387 亿元,二期募资超过 2,000 亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导 体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制 造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。

  (二)报告期内,公司产品主要应用于光伏、半导体领域。光伏行业市场集中度较高,根据中国光伏行业协会统计,2021 年我国产能 排名前十的电池片企业总产能达到 246.1GW,约占全国总产能的 68.2%,总产 量合计约为 155GW,约占全国总产量的 78.3%。经过了多年的发展,公司积累 了丰富的光伏电池片薄膜沉积技术,树立了良好的市场口碑,公司与前十名电 池片企业均建立了合作关系。随着主要客户市占率的不断提升及生产经营规模 的不断扩大,有利于公司产品的市场渗透率提升,促进公司业绩的持续增长。太阳能电池片技术路线目前正由 PERC 工艺向新型高效电池(TOPCon、HJT 等)发展,公司在行业中已率先取得无锡尚德、通威太阳能、晶科能源、商洛 比亚迪等公司 TOPCon 产线设备订单。在半导体领域,ALD 设备仍基本由境外厂商垄断,公司是行业内极少数的 新进入者和国产厂商代表之一,先后获得多家知名半导体公司的商业订单,并 在报告期内实现了国产 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺(高介电常数 栅氧层材料沉积环节)中的突破。此外,公司已与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开 展产品技术验证等工作,针对国内半导体各细分应用领域研发试制新型 ALD 设 备。虽然公司为少数进入半导体领域的 ALD 国产厂商,但目前占半导体设备整 体市场份额的比例较低。

  行业内的主要企业 1、光伏领域 目前,国内光伏设备已基本实现国产替代,并在国际竞争中处于优势地 位。公司光伏领域薄膜沉积设备的竞争对手包括主要采用 ALD 技术的无锡松 煜、理想晶延,以及主要采用 PECVD 技术的捷佳伟创(300724.SZ)、北方华 创(002371.SZ)、红太阳、拉普拉斯、Centrotherm(商先创)等。

  2、半导体领域在半导体领域设备制造商以国外企业为主,东京电子(TEL)、先晶半导体(ASM)、泛林半导体(Lam)、应用材料(AMAT)、日本国际电气(KE)均为全球知名的设备制造商,产品线涵盖薄膜沉积设备。国内企业中,主营业务涵盖半导体薄膜沉积设备的主要有北方华创 (002371.SZ)、拓荆科技(688072.SH)、中微公司(688012.SH)三家

  (1)技术迭代及新产品开发风险 随着技术和应用领域的不断发展,下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材 料类型、技术指标等要求也不断变化,因此会对产品提出新的要求。公司需要 不断紧跟行业技术发展趋势、及时研发可满足行业技术要求的产品。如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者技 术创新产品不能契合客户需求,如无法持续提供满足电池降本增效需求的产 品、无法响应新型高效电池(TOPCon、HJT 等)或半导体制造工艺制程继续提 高等新的应用需求,可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要,从而 可能对公司的经营业绩造成不利影响。(2)存货跌价的风险报告期各期末,公司存货分别为27,355.57万元、34,315.42万元、40,296.81万元、57,320.63万元,占总资产的比例分别为45.51%、31.06%、29.70%、33.11%;发出商品分别为19,565.09万元、28,805.98万元、28,674.13万元、32,931.02万元,占期末存货的比例分别为71.52%、83.94%、71.16%、57.45%,为存货的主要组成部分。公司存货账面价值较高,主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备,但仍不能排除市场环境发生变化,或其他难以预计的原因,导致存货无法顺利实现销售,或者存货价格出现大幅下跌的情况,使得公司面临存货跌价风险。(3)毛利率下降的风险 报告期内,公司主营业务毛利率分别为 53.97%、51.89%、45.83%、 34.12%。公司主营业务毛利率变动主要受产品销售价格、原材料采购价格、市 场竞争程度、技术更新换代及政策变动等因素的影响。同时,随着公司产品种 类增加,不同产品的售价及成本存在一定差异,不同产品销售收入占比的结构 性变化也会对公司主营业务毛利率产生较大影响。若未来上述影响因素发生重 大不利变化,公司毛利率将会面临下降的风险,从而对公司盈利能力造成不利 影响。

  2.公司 2022 年 1-9 月营业收入为 38,505.25 万元,较上年度同比增长 66.80%,主要系公司 PERC 电池设备销售收入取得增长、首批应用于光伏 TOPCon 电池的专用设备取得客户验收,并在柔性电子领域实现 ALD 设备销 售,使得专用设备销售收入有所增长。公司 2022 年 1-9 月归属于母公司股东的净利润为-325.47 万元,较上年度同 比下降 115.83%;2022 年 1-9 月扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利 润为-1,777.33 万元,较上年度同比下降 373.29%。主要系公司收入结构变化导致主营业务毛利率有所波动,且设备产品验收 周期长,导致收入确认与因订单增加而相应增加的管理、销售费用周期不一 致,以及公司持续加大研发投入,导致研发费用增加所致。

  公司以ALD技术为核心,主要从事先进微、纳米级薄膜沉积设备的研发、生产和销售,向下游客户提供先进薄膜沉积设备与相关改造服务及备品备件,公司是国内少数能在短期内快速反馈并协助客户解决产线上 ALD 技术问题 的设备厂商之一,公司产品主要是光伏电池设备,客户团包括通威和隆基等等巨头,公司目前规模比较小,但是产品已经具备一定的科技含量和市场竞争力,报告期内公司利润虽然不稳定,但是在手订单丰厚,后期还有爆发可能,公司光伏新能源半导体概念题材不错,上市存在炒作价值,短线亿左右估值,建议积极申购。

  说明:对于新股预测表的价格,无风重点是指开盘价或者开板价,不是指开盘后跌到这个位置。从炒作情绪来说,高开低走太伤人气,就算高开了跌到某个价位也不建议接盘,除非庄占比资金介入量明显暴增。预测表是看重公司上市前的财务质地和行业前景,新股后期有波动是正常的,个人看法会随着资金的喜好和题材的发酵而改变前期观点(请关注本号每天复盘,会更新不同的估值分析观点)。新股申购建议分为四种(1.积极申购2.一般申购3.谨慎申购4.不建议申购,前面两种情况个人会申购,后面两种情况个人不申购)。请谨慎和理性参考,本文内容不做任何投资建议,据此操作风险自理。返回搜狐,查看更多

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